據台灣《經濟日報》(UDN)獨家報導,華為正秘密推進5nm芯片的自主生產線,且無需依賴荷蘭ASML的極紫外光(EUV)光刻機。更驚人的是,3nm芯片已進入研發階段,預計2026年投產。這一突破性進展,標誌著中國半導體產業在美國技術封鎖下逆勢突圍。
由於ASML受美國禁令限制,無法向中國出口EUV設備,華為轉而採用上海微電子(SMEE)的SSA800光刻機,結合多重曝光(multi-patterning)技術,實現5nm製程。儘管該技術複雜度更高、良率挑戰大,但華為已逐步攻克難關。
據知情人士透露,華為在3nm研發上採取了獨特的雙軌策略。一方面持續推進主流的GAA架構研發,確保與國際先進技術同步;另一方面則大膽押注碳納米管芯片技術,其性能潛力據稱可達傳統硅芯片的十倍。目前,華為正與中芯國際緊密合作,加速這項黑科技的產業化進程。

近期發表的Huawei Matebook Fold搭載的 KIRIN X90芯片引發業界熱議。雖然官方宣稱採用5nm製程,但技術分析顯示這實際上是通過先進封裝技術優化的7nm設計。這種創新思路,充分展現了華為在極限制裁下的技術韌性及應變能力,也為後續發展積累了寶貴經驗。
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