據台灣《經濟日報》（UDN）獨家報導，華為正秘密推進5nm芯片的自主生產線，且無需依賴荷蘭ASML的極紫外光（EUV）光刻機。更驚人的是，3nm芯片已進入研發階段，預計2026年投產。這一突破性進展，標誌著中國半導體產業在美國技術封鎖下逆勢突圍。

由於ASML受美國禁令限制，無法向中國出口EUV設備，華為轉而採用上海微電子（SMEE）的SSA800光刻機，結合多重曝光（multi-patterning）技術，實現5nm製程。儘管該技術複雜度更高、良率挑戰大，但華為已逐步攻克難關。

據知情人士透露，華為在3nm研發上採取了獨特的雙軌策略。一方面持續推進主流的GAA架構研發，確保與國際先進技術同步；另一方面則大膽押注碳納米管芯片技術，其性能潛力據稱可達傳統硅芯片的十倍。目前，華為正與中芯國際緊密合作，加速這項黑科技的產業化進程。

近期發表的Huawei Matebook Fold搭載的 KIRIN X90芯片引發業界熱議。雖然官方宣稱採用5nm製程，但技術分析顯示這實際上是通過先進封裝技術優化的7nm設計。這種創新思路，充分展現了華為在極限制裁下的技術韌性及應變能力，也為後續發展積累了寶貴經驗。

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